Подробное описание документа
Структура, морфология и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-GaAs–p-(GaAs) 1–x(Ge2) х / Зайнабидинов С. З., Саидов А. С., Бобоев А. Й., Абдурахимов Д. П. - URL: https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/condph/1017.html (дата обращения: 11.03.2026). - DOI 10.18698/1812-3368-2022-1-72-87 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2022. - № 1. -
Скачать документ
Изучены структурные свойства тонкопленочных твердых растворов (GaAs)1–х(Ge2)x, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках монокристаллов GaAs. Полученные эпитаксиальные слои имели толщину 10 мкм и удельное сопротивление 0,17 Ом · см p-типа проводимости. Рентгенографический анализ показал, что полученные пленки являются монокристаллическими с нано-включениями примесных атомов и дефектов решетки размерами до 49 нм и кристаллографической ориентацией (100), имеют сфалеритную структуру типа ZnS. Морфологические исследования с использованием атомно-силовой микроскопии показали, что наблюдаемые на поверхности эпитаксиальных слоев (GaAs)1–х(Ge2)x наноконусы обусловлены присутствием в них атомов Ge. В соответствии с результатами исследований, проведенных методом рентгеновской дифракции, диаметры оснований наноконусов находятся в пределах 70...90 нм, высота — 3...12 нм. Спектры фоточувствительности этих твердых растворов имеют своеобразные флуктуации, обусловленные образованием в них различных комплексов заряженных ионов. Результаты анализа спектров фоточувствительности гетероструктур n-GaAs–p-(GaAs)1–х(Ge2)x получены с использованием программы Wolfram Mathematics 7. Установлено, что спектр состоит из трех пиков, обусловленных соединениями As–Ge, Gе–Ge и Ga–Ge Работа выполнена при поддержке Комитета по координации и развитию наукии технологий при Кабинете Министров Республики Узбекистан (грант № Ф2-68) Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Бобоев А.Й. и др. Структура, морфология и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)х. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2022, № 1 (100), с. 72–87. DOI: https://doi.org/10.18698/1812-3368-2022-1-72-87
621.315.592.3 Легированные полупроводники
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 1. - 2022.
