12 записей
Статья
Зайнабидинов С. З., Мадаминов Х. М.
Механизм токопрохождения в полупроводниковых p–Si–n–(Si2) 1–x(CdS) x структурах / Зайнабидинов С. З., Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2020-4-58-72 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2020. - № 4. -С. 58-72 .
Механизм токопрохождения в полупроводниковых p–Si–n–(Si2) 1–x(CdS) x структурах / Зайнабидинов С. З., Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2020-4-58-72 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2020. - № 4. -
Читать онлайн
Статья
Закономерности деформационного упрочнения кристаллических материалов, содержащих композиционные ансамбли дефектов / Вершинин Е. В., Глебов С. А., Власов В. Н., Рыбкин С. В. // Наукоемкие технологии. - 2014. - Т. 15, № 8. - С. 19-26 .
Статья
Закономерности равновесия и устойчивости узловых дислокационных конфигураций / Бобров Р. Б., Востров Н. Н., Проскурнин А. Н., Сидоров В. С., Логинов Б. М. // Наукоемкие технологии. - 2014. - Т. 15, № 8. - С. 3-12 .
Статья
Исследование методами компьютерного моделирования наноскопических характеристик композиционных материалов / Коржавый А. П., Логинов Б. М., Логинова М. Б., Белов Ю. С., Рыбкин С. В. // Наукоемкие технологии. - 2017. - Т. 18, № 2. - С. 53-63 .
Статья
Исследование свойств полимерных композиционных материалов на основе углеродных волокон и нанотрубок / Коржавый А. П., Логинов Б. М., Логинова М. Б., Белов Ю. С. // Наукоемкие технологии. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 47-60 .
Статья
Мадаминов Х. М.
Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. -С. 71-84 .
Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. -
Статья
Мадаминов Х. М.
Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2) 1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. -С. 35-51 .
Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2) 1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. -
Статья
Марин В. П., Сидорова А. В.
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -С. 10-19 .
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -
Статья
Оптимизация режимов ретроградного легирования кармана КНИ МОП-транзисторов СБИС / Амирханов А. В., Волков С. И., Глушко А. А., Зинченко Л. А., Макарчук В. В., Шахнов В. А. // Микроэлектроника. - 2016. - Т. 45, № 4. - С. 252-257 .
Статья
Особенности взаимодействия скользящих дислокаций с хаотическими ансамблями колеблющихся дислокационных петель / Глебов С. А., Кручинин И. И., Логинова М. Б., Серебряков Ю. А. // Наукоемкие технологии. - 2014. - Т. 15, № 8. - С. 13-18 .
