Подробное описание документа
Мадаминов Х. М.
Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - URL: https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/condph/971.html (дата обращения: 11.03.2026). - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. -
Скачать документ
Исследована вольт-амперная характеристика структур pSi–nSi1–xSnx в интервале значений температуры 293...393 K в целях выяснения роли инжекционных эффектов при формировании электрических свойств гетероструктур pSi–nSi1–xSnх, полученных на основе твердого раствора Si1–xSnx (0 ≤ x ≤ 0,04). Установлено, что вольт-амперная характеристика таких гетероструктур состоит из двух характерных участков. Определено, что первый участок вольт-амперной характеристики хорошо описывается экспоненциальной зависимостью. За экспоненциальной зависимостью на всех вольт-амперных характеристиках наблюдаются независимые от температуры сублинейные участки. Показано, что указанные участки хорошо описываются в рамках теории эффекта инжекционного обеднения. По сублинейному участку вольт-амперной характеристики определено значение параметра a, с использованием которого можно рассчитать концентрацию глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка. Доказано, что исследованную структуру можно рассматривать как переход pSi–nSi1–xSnx–n+Si1–xSnx (0 ≤ x ≤ 0,04) с высокоомным nSi1–xSnx-слоем. Полученные результаты позволили сделать следующие выводы: в твердом растворе Si1–xSnx (0 ≤ x ≤ 0,04) существенную роль при формировании электрофизических свойств играет рассеяние носителей заряда не только на сложных комплексах, но и на нановключениях; установлена эффективность использования эпитаксиальных пленок твердых растворов Si1–xSnx (0 ≤ x ≤ 0,04), полученных на кремниевых подложках, как перспективных материалов при разработке диодов, функционирующих в режиме двойной инжекции Работа выполнена в рамках проекта Государственной научно-технической программы Республики Узбекистан (проект № ОТ-Ф2-68)
621.315.592.3 Легированные полупроводники
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 2. - 2021.
