Подробное описание документа
Статья
Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs / Прудаев И. А., Верхолетов М. Г., Королева А. Д., Толбанов О. П. // Письма в "Журнал технической физики". - 2018. - Т. 44, № 11. -
Статья опубликована в следующих изданиях
с. 21-29
Журнал
Письма в "Журнал технической физики". - ISSN 0320-0116 .
Т. 44, № 11. - 2018.
Т. 44, № 11. - 2018.
