RU/EN
RU/EN

Подробное описание документа

   Журнал

   Письма в "Журнал технической физики". - ISSN 0320-0116.
   Т. 44, № 11. - 2018.

1 экз.
Вы можете получить данный документ в одном из следующих отделов
  1. Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
  2. Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313

Содержание

с. 21-29
   Статья
   Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs / Прудаев И. А., Верхолетов М. Г., Королева А. Д., Толбанов О. П.