Расширенный поиск

   Разработка технологии синтеза алмазов в мягких условиях и исследование их полупроводниковых свойств : отчет о НИР (заключ.) / МГТУ. Каф. ФН-6-КФ ; рук. темы Федосеев И. В. - М., 1999. - 51 л. - Библиогр.: л. 48-51.

   Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования металлооксидных пленок ZnO(S), полученных методом ультразвукового спрей-пиролиза / Зайнабидинов С. З., Юлдашев Ш. У., Бобоев А. Й., Юнусалиев Н. Ю. - DOI 10.18698/1812-3368-2024-1-78-92 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2024. - № 1. - С. 78-92.

Рыков С. А.
   Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур : учеб. пособие для вузов / Рыков С. А. ; ред. Ильин В. И., Шик А. Я. - СПб. : Наука, 2001. - 52 с. : ил. - (Новые разделы физики полупроводников). - Библиогр.: с. 51. - ISBN 5-02-024956-4.

Сахарова Е. С.
   Исследование коррозионной стойкости алюминиевого сплава 8176 / Сахарова Е. С. // Будущее машиностроения России. Всероссийская конференция молодых учёных и специалистов ( с международным участием), 17-я, Москва, 21-24 сентября 2024 г. : сборник докладов : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Союз машиностроителей России. - 2025. - Т. 1. - С. 170-173.

   Стойкость к биодеструкции нанокомпозитных материалов на основе хитозана / Нестеров С. Б., Нежметдинова Р. А., Елинсон В. М., Жуховицкий В. Г. // Наноинженерия. - 2013. - № 1. - С. 37-39.

Столяров М. А.
   Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе : автореф. дис... ктн : 01. 04.-7 / Столяров М. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал. - М., 2007. - 16 с.

Столяров М. А.
   Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе : дис... ктн : 01. 04. 07 / Столяров М. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал. - Калуга, 2007. - 163 л. - Библиогр.: л. 147-162.

   Структура, морфология и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-GaAs–p-(GaAs) 1–x(Ge2) х / Зайнабидинов С. З., Саидов А. С., Бобоев А. Й., Абдурахимов Д. П. - DOI 10.18698/1812-3368-2022-1-72-87 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2022. - № 1. - С. 72-87.

   Субмикронная катодолюминесцентная диагностика прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники : отчет о НИР (промежут.) / МГТУ. Фил. в Калуге ; рук. темы Степович М. А. - М., 2000. - 106 л.

   Субмикронная катодолюминесцентная диагностика прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники : отчёт о НИР (заключительный) / МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал ; рук. НИР Степович М. А. - М., 2001. - 69 л. - Библиогр.: л. 65-69. - Шифр ОК-ФН3-00Ф. - ГР 01200002393. - Инв. № 02.2.00104557.