106 записей
Мавлонов Ш.
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников : монография / Мавлонов Ш. ; Физико-технический институт им. С. У. Умарова Академии наук Таджикской ССР ; отв. ред. Кариева Р. А. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154 с. : ил. - Библиогр.:с. 138-154 . - ISBN 5-8366-0095-3 .
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников : монография / Мавлонов Ш. ; Физико-технический институт им. С. У. Умарова Академии наук Таджикской ССР ; отв. ред. Кариева Р. А. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154 с. : ил. - Библиогр.:
Статья
Мадаминов Х. М.
Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. -С. 71-84 .
Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. -
Статья
Мадаминов Х. М.
Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2) 1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. -С. 35-51 .
Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2) 1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. -
Статья
Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -С. 493-503 .
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -
Марахтанов М. К., Марахтанов А. М.
Неожиданные квантовые явления в известных электрических процессах. Опыт и теория / Марахтанов М. К., Марахтанов А. М. - М. : URSS : КРАСАНД, 2010. - 310 с. : ил. - (Relata Refero). - Библиогр.:c. 9-10, в конце гл. - ISBN 978-5-396-00120-6 .
Неожиданные квантовые явления в известных электрических процессах. Опыт и теория / Марахтанов М. К., Марахтанов А. М. - М. : URSS : КРАСАНД, 2010. - 310 с. : ил. - (Relata Refero). - Библиогр.:
Статья
Марин В. П., Сидорова А. В.
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -С. 10-19 .
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -
Статья
Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур / Байбурин В. Б., Кузнецов В. А., Чернышев С. Л., Шмаков С. Л. // Радиотехника. - 2018. - № 9. - С. 87-92 .
Материалы современной электроники и спинтроники : монография / Стародуб В. А., Стародуб Т. Н., Кажева О. Н., Брегадзе В. И. - М. : Физматлит, 2019. - 422 с., [8] л. рис. : рис., табл. - Библиогр. в конце глав, разделов . - ISBN 978-5-9221-1825-5 .
Медведев С. А.
Введение в технологию полупроводниковых материалов : учебное пособие / Медведев С. А. - М. : Высшая школа, 1970. - 503 с. : ил. - Библиогр.в конце гл.
Введение в технологию полупроводниковых материалов : учебное пособие / Медведев С. А. - М. : Высшая школа, 1970. - 503 с. : ил. - Библиогр.