86 записей
Куэй Р.
Электроника на основе нитрида галлия / Куэй Р. ; пер. с англ. Концевой Ю. А., Митрофанов Е. А. ; ред. пер. Васильев А. Г. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-94836-296-0 .
Электроника на основе нитрида галлия / Куэй Р. ; пер. с англ. Концевой Ю. А., Митрофанов Е. А. ; ред. пер. Васильев А. Г. - М. : ТЕХНОСФЕРА, 2011. - 587 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр.
1 экз.
Мавлонов Ш.
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников : монография / Мавлонов Ш. ; Физико-технический институт им. С. У. Умарова Академии наук Таджикской ССР ; отв. ред. Кариева Р. А. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154 с. : ил. - Библиогр.:с. 138-154 . - ISBN 5-8366-0095-3 .
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников : монография / Мавлонов Ш. ; Физико-технический институт им. С. У. Умарова Академии наук Таджикской ССР ; отв. ред. Кариева Р. А. - Душанбе : Дониш, 1990. - 154 с. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Статья
Мадаминов Х. М.
Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. -С. 71-84 .
Влияние инжекционных эффектов на электрические свойства гетеропереходов pSi–nSi1–xSnx / Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2021-2-71-84 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2021. - № 2. -
Читать онлайн
Статья
Мадаминов Х. М.
Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2) 1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. -С. 35-51 .
Влияние рекомбинационных процессов на температурную зависимость вольт-амперных характеристик структур pSi–n(Si2) 1 – х(CdS) х / Мадаминов Х. М. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2025. - № 2. -
Статья
Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -С. 493-503 .
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -
Статья
Марин В. П., Сидорова А. В.
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -С. 10-19 .
Нетрадиционная электроэнергетика - шаг к технологиям будущего / Марин В. П., Сидорова А. В. // Наукоемкие технологии. - 2012. - Т. 13, № 10. -
Материаловедение узкощелевых и слоистых полупроводников : сборник научных трудов / Академия наук Украинской ССР, Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича, Черновицкое отделение. - Киев : Наукова думка, 1989. - 139 с. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-12-001005-9 .
1 экз.
Медведев С. А.
Введение в технологию полупроводниковых материалов : учебное пособие / Медведев С. А. - М. : Высшая школа, 1970. - 503 с. : ил. - Библиогр.в конце гл.
Введение в технологию полупроводниковых материалов : учебное пособие / Медведев С. А. - М. : Высшая школа, 1970. - 503 с. : ил. - Библиогр.
2 экз.
Меден А., Шо М.
Физика и применение аморфных полупроводников : монография / Меден А., Шо М. ; пер. с англ. Костылев С. А. - М. : Мир, 1991. - 597 с. : рис. - Библиогр.:с. 622-660 . - ISBN 5-03-001895-6 .
Физика и применение аморфных полупроводников : монография / Меден А., Шо М. ; пер. с англ. Костылев С. А. - М. : Мир, 1991. - 597 с. : рис. - Библиогр.:
2 экз.
Многокомпонентные халькогениды A² B₂³ C₄⁶ : [сборник научных трудов] / Академия наук Молдавской ССР, Институт прикладной физики. - Кишинёв : Штиинца, 1990. - 163 с. : граф. - Библиогр. в конце статей . - ISBN 5-376-0000607-7 .
1 экз.
