Расширенный поиск

Зайнабидинов С. З., Курбанов А. О.
   Кластеры атомов примеси никеля и их влияние на рекомбинационные свойства кремния / Зайнабидинов С. З., Курбанов А. О. - DOI 10.18698/1812-3368-2019-2-81-93 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2019. - № 2. - С. 81-93.

Зайнабидинов С. З., Мадаминов Х. М.
   Механизм токопрохождения в полупроводниковых p–Si–n–(Si2) 1–x(CdS) x структурах / Зайнабидинов С. З., Мадаминов Х. М. - DOI 10.18698/1812-3368-2020-4-58-72 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2020. - № 4. - С. 58-72.

   Закономерности деформационного упрочнения кристаллических материалов, содержащих композиционные ансамбли дефектов / Вершинин Е. В., Глебов С. А., Власов В. Н., Рыбкин С. В. // Наукоемкие технологии. - 2014. - Т. 15, № 8. - С. 19-26.

   Закономерности равновесия и устойчивости узловых дислокационных конфигураций / Бобров Р. Б., Востров Н. Н., Проскурнин А. Н., Сидоров В. С., Логинов Б. М. // Наукоемкие технологии. - 2014. - Т. 15, № 8. - С. 3-12.

   Изучение возможностей использования электроннозондовых методов для субмикронной диагностики материалов и структур электронной техники : отчёт о НИР (заключительный) / МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал ; рук. темы Степович М. А. - М., 2003. - 140 л. - Библиогр.: л. 130-140. - Шифр Т00-2.2-852. - ГР 01200110405. - Инв. № 02.20.0303192.

   Исследование и разраб. катодолюминесцентного метода диагностики локальных электрофизич. параметров полупроводников : отчет о НИР (заключ.) / МГТУ. Фил. в Калуге ; рук. темы Степович М. А. - М., 2000. - 65 л.

   Исследование методами компьютерного моделирования наноскопических характеристик композиционных материалов / Коржавый А. П., Логинов Б. М., Логинова М. Б., Белов Ю. С., Рыбкин С. В. // Наукоемкие технологии. - 2017. - Т. 18, № 2. - С. 53-63.

   Исследование механических характеристик однослойных и многослойных наноструктур на основе углеродных и фторуглеродных покрытий / Елинсон В. М., Щур П. А., Кириллов Д. В., Лямин А. Н., Сильницкая О. А. // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2018. - № 4. - С. 69-73.

   Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с delta-легированными слоями Si / Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Мальцев П. П. // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, № 7. - С. 932-935.

   Исследование самоорганизации высокоупорядоченных нанокластеров германия при осаждении пленок поликристаллического кремния, легированного германием / Ковалевский А. А., Строгова А. С., Плякин Д. В., Борисевич В. М. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 4. - С. 14-19.