Подробное описание документа
Зайнабидинов С. З.
Кластеры атомов примеси никеля и их влияние на рекомбинационные свойства кремния / Зайнабидинов С. З., Курбанов А. О. - URL: https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/condph/868.html (дата обращения: 11.03.2026). - DOI 10.18698/1812-3368-2019-2-81-93 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2019. - № 2. -
Скачать документ
Методом нестационарной емкостной спектроско-пии (DLTS), измерением удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда, а также с использованием инфракрасного и атомно-силового микроскопов Solver-NEXT определены типы и природа структурных дефектов кремния n-типа с кластерами примесных атомов никеля. Установлено, что после высокотемпературной диффузии в медленно охлажденных образцах Si наблюдаются звездообразные дефекты. Отсутствие декорирования дислокаций в быстро охлажденных образцах Si связано с образованием точечных дефектов типа [Ni-O], силицидов [Ni-Si] и пар атомов Ni[Nis-Nii] (в отличие от легированных медленно охлажденных образцов Si). Различия формы и размеров образующихся дефектов в быстро и медленно охлажденных образцах Si можно объяснить тем, что при медленном охлаждении переход системы к равновесному состоянию сопровождается понижением свободной энергии, и атомы никеля, постепенно осаждаясь на нарушениях кристаллической решетки, образуют включения с наиболее энергетически выгодным состоянием — звездообразные дефекты. Установлено увеличение времени жизни носителей заряда, обусловленное образованием уровня прилипания, связанного с комплексом [Ni-O] в кремнии
621.315.592 Полупроводники
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 2. - 2019.
