Подробное описание документа
Выращивание кристаллов: выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления : лабораторный практикум : практикум / Ю. Н. Пархоменко, В. В. Антипов, Р. А. Жуков, О. М. Кугаенко, В. С. Петраков ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков. - Москва : МИСиС, 2017. -
Практикум включает в себя материал, необходимый для подготовки и проведения лабораторной работы по выращиванию кристаллических пленок методом магнетронного напыления по курсу «Выращивание кристаллов». Изложены основы теории магнетронного напыления, дано описание аппаратуры, методик напыления и оценки качества полученных кристаллических пленок.Цель лабораторного практикума – приобретение студентами теоретических знаний и практических навыков по напылению монокристаллических пленок с применением метода магнетронного распыления в постоянном и высокочастотном электромагнитном поле. В процессе выполнения лабораторной работы студенты осваивают теорию и метод выращивания кристаллических пленок путем магнетронного напыления, овладевают навыками выбора материала и подготовки подложки для эпитаксиальной кристаллизации, осваивают методику работы и напыляют пленки на установке магнетронного напыления SunPla-40, исследуют структуру и проводят анализ влияния технологических факторов на структуру и физические свойства выращенных кристаллических пленок.Лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению подготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение и технология материалов» по программе «Кристаллы квантовой и оптической электроники».