Подробное описание документа
В. С. Данилов, Ю. Н. Раков
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах : учебное пособие / В. С. Данилов, Ю. Н. Раков. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2011. -
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.