Подробное описание документа
Патент на изобретение № 2796501 Российская Федерация.
Способ просветления торцов активных Cr:ZnS волноводов на основе микроструктурирования поверхности : № 2021140019 : заявл. 30.12.2021 : опубл. 24.05.2023 / Лазарев В. А., Тарабрин М. К., Бушунов А. А. [и др.] ; патентообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Изобретение относится к способам получения просветляющих микрострукур на оптических поверхностях активных Cr:ZnS волноводов в среднем инфракрасном (от 2 до 10 мкм) диапазоне. Заявленный способ просветления торцов активных Cr:ZnS волноводов на основе микроструктурирования поверхности предназначен для подавления отражения и рассеяния электромагнитных волн от 2 до 10 мкм, падающих на поверхность подложки под углами в диапазоне от 0 до 40 градусов, от поверхности торца активного Cr:ZnS волновода и, таким образом, увеличения пропускания электромагнитных волн через активный Cr:ZnS волновод, посредством модификации плоской поверхности торца активного Cr:ZnS волновода с использованием прямой лазерной абляции одиночными сверхкороткими импульсами лазерного излучения, в котором используют лазер сверхкоротких импульсов лазерного излучения, объектив для фокусировки сверхкоротких импульсов лазерного излучения относительно верхней границы подложки, позиционер, который перемещает подложку в трех координатах относительно точки фокусировки сверхкоротких импульсов лазерного излучения. Способ включает в себя: размещение активного Cr:ZnS волновода относительно точки фокусировки сверхкоротких импульсов лазерного излучения, где торец активного Cr:ZnS волновода непосредственно подвергается воздействию сверхкоротких импульсов лазерного излучения, причем сверхкороткие импульсы лазерного излучения воздействуют на поверхность торца активного Cr:ZnS волновода физически для удаления материала с поверхности торца активного Cr:ZnS волновода путем абляции, образуя отверстие или углубление. Позиционер непрерывно перемещает торец активного Cr:ZnS волновода, синхронизированным с частотой повторения сверхкоротких импульсов лазерного излучения, для образования отверстий на плоской верхней поверхности подложки. При этом создаваемая микроструктура поверхности имеет расстояния между отверстиями меньше, чем самая короткая длина волны электромагнитных волн, а глубина отверстий больше, чем самая короткая длина волны электромагнитных волн. Причем эффективный показатель преломления микроструктуры поверхности монотонно возрастает от окружающей среды к подложке материала. Технический результат – снижение потерь при пропускании электромагнитных волн из-за отражения от микроструктуры рельефа поверхности на торцах активных Cr:ZnS волноводов на 15%. 1 ил.JPEG00000001.jpg122166
