Подробное описание документа
Патент на изобретение № 2767721 Российская Федерация.
Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц : № 2021119944 : заявл. 07.07.2021 : опубл. 18.03.2022 / Шахнов В. А., Жалнин В. П., Власов А. И. [и др.] ; патентообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц относится к способам формирования вертикального профиля и организации мемристивных элементов и режимов их работы для обеспечения наибольшей производительности, стабильности и повторяемости параметров обработки цифровых данных. Способ заключается в том, что формируется два электрода на основе одного или нескольких наноразмерных слоев оксидов металлов, их разделяют активной средой так, что между электродами по периферии области активной среды наносят изолирующий слой. Поверх изолирующего слоя формируют токопроводящий слой, при этом обеспечивают его связь с отрицательной шиной, что препятствует утечке отрицательных ионов кислорода через изолирующий слой, если вдруг в нем случится трещина или канал для утечки. Отличие от известных технических решений состоит в том, что между электродами по периферии области активной среды нанесен изолирующий слой, поверх которого сформирован токопроводящий слой, электрически связанный с отрицательной шиной, а поскольку носителями тока в активной среде являются отрицательные ионы кислорода, то подав на токопроводящий слой небольшой отрицательный потенциал создается внешнее электрическое поле, препятствующее прохождению (утечке) отрицательных ионов кислорода через изолирующий слой. В результате получено техническое решение, которое обеспечивает формирование мемристорных структур с высокой эффективностью воздействия на отрицательные ионы кислорода, которые являются переносчиками зарядов в данной структуре. Технический результат заключается в повышении стабильности и повторяемости характеристик (напряжения переключения, сопротивления в низкоомном и в высокоомном состояниях) мемристоров, сопротивление которых изменяется при пропускании через них электрического тока. 2 ил.
