Подробное описание документа
Патент на изобретение № 2664759 Российская Федерация.
Способ повышения надежности гибридных и монолитных интегральных схем : № 2017141625 : заявл. 29.11.2017 : опубл. 22.08.2018 / Мешков С. А. ; патентообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Изобретение относится к способу повышения надежности полупроводниковых монолитных и гибридных интегральных схем (ИС) в заданных условиях эксплуатации. Сущность: определяют скорость деградации информативных параметров ИС в результате искусственного старения. Строят функцию плотности вероятности информативных параметров с учетом технологических погрешностей параметров конструкции ИС. Определяют методом имитационного моделирования на основе полученных закономерностей и скорости деградации информативных параметров ИС траектории их изменения во времени. Определяют моменты времени параметрических отказов всех ИС в партии. Статистически обрабатывают моменты времени параметрических отказов всех ИС партии и определяют среднюю наработку на отказ. Корректируют номинальные информативные параметры ИС по критерию максимизации средней наработки на отказ, в течение которого функция плотности вероятности их информативных параметров во времени не выходит за пределы наложенных разработчиком ограничений. Синтезируют новые параметры конструкции ИС, обеспечивающие новые оптимальные по критерию максимальной наработки на отказ номиналы информативных параметров. Технический результат: повышение времени наработки на отказ гибридных и монолитных ИС. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.JPEG00000016.jpg8589
