Подробное описание документа
Патент на полезную модель № 164950 Российская Федерация.
Перестраиваемый твердотельный лазер среднего ИК-диапазона с продольной накачкой диодной линейкой : № 2016108142 : заявл. 09.03.2016 : опубл. 06.09.2016 / Тарабрин М. К., Лазарев В. А., Леонов С. О. [и др.] ; патентообладатель МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Полезная модель относится к лазерной технике, а именно к устройствам перестраиваемых лазеров среднего инфракрасного (ИК) диапазона с продольной накачкой твердотельного активного элемента лазерными диодами. Такие твердотельные лазеры могут быть использованы для спектроскопии в среднем ИК-диапазоне, для разработки оптических параметрических генераторов, для создания оптических стандартов частоты на холодных молекулах и др. Технический результат, на достижение которого направлена предлагаемая полезная модель, заключается в сравнительном увеличении выходной мощности лазерного излучения, а также создании более равномерного плавного спектра выходной мощности излучения. Указанный технический результат достигается тем, что перестраиваемый твердотельный лазер среднего ИК-диапазона с продольной накачкой состоит из источника накачки; резонатора, состоящего из глухого плоского зеркала, промежуточного сферического зеркала, диспергирующего элемента и поворотного выходного плоского зеркала; и твердотельного активного элемента, установленного вдоль оптической оси резонатора. В качестве источника накачки использована линейка лазерных диодов с возможностью передачи своего излучения в резонатор через фокусирующую волоконно-оптическую систему; в качестве фокусирующей волоконно-оптической системы использована последовательная цепь из волоконного световода, коллиматора и фокусирующей линзы. При этом лазерное устройство помещено в корпус с возможностью вытеснения атмосферного воздуха из корпуса за счет продувки буферным газом, не имеющим поглощения в спектральной области генерации лазера. Буферным газом может быть аргон или азот. В качестве твердотельного активного элемента резонатора использованы кристаллы халькогенидов, легированных ионами Cr2+, в частности кристалл Cr2+:CdSe, или другие соединения: Cr2+ZnS, Cr2+:ZnSe, Cr2+:Сd0,55Mn0,45Те, Cr2+:CdS. 2 з.п. ф-лы. 2 ил.
