Подробное описание документа
Структурные и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-GaAs–p-(ZnSe) 1-x-y(Ge2) x(GaAs1-δBiδ) y c различными нановключениями / Зайнабидинов С. З., Бобоев А. Й., Солиев И. М., Юнусалиев Н. Ю. // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2026. - № 2. -
Скачать документ
Представлены результаты экспериментальных исследований структурных и фотоэлектрических свойств полученной методом жидкофазной эпитаксии гетероструктуры n-GaAs–p-(ZnSe)1-x-y(Ge2)x(GaAs1-δBiδ)y с различными нановключениями. На основе рентгеновского микрозондового и структурного анализа определен профиль распределения компонентов ZnSe, Ge2 и GaAs1-δBiδ в эпитаксиальном слое с постепенным изменением состава по глубине. Установлено формирование нанокристаллов Ge2 и GaAs1-δBiδ, обусловливающих уникальные фотоэлектрические свойства исследуемой гетероструктуры. Определены механизмы переноса заряда в зависимости от направления тока, выявлен критерий преобладания дрейфового механизма переноса заряда над диффузионным. Фоточувствительность изучаемой гетероструктуры характеризуется тремя основными пиками при энергии фотонов 1,61; 1,97; 2,63 эВ. Результаты анализа спектров показали, что средний пик с максимальной интенсивностью имеет сложную структуру, что позволило идентифицировать дополнительный четвертый пик в энергетическом диапазоне 2,1...2,3 эВ. Установленные пики соответствуют энергетическим спектрам нанокристаллов германия, образованных на границах субкристаллитов пленки, и Ge2 и GaAs1-δBiδ, сформированным в приповерхностной области эпитаксиального слоя Работа выполнена при поддержке Министерства инновационного развития Республики Узбекистан (грант № FZ-2921542100) Просьба ссылаться на эту статью следующим образом: Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Солиев И.М. и др. Структурные и фотоэлектрические свойства гетероструктуры c различными нановключениями. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2026, № 2 (125), с. 41–61. EDN: TGCWMA
Статья опубликована в следующих изданиях
№ 2. - 2026.