Подробное описание документа

   Статья в журнале

Знаменская Т. Д.
   К вопросу о подготовке студентов в связи с развитием новых направлений микроэлектроники / Знаменская Т. Д. // Лесной вестник. - 2015. - Т. 19, № 3. - С. 7-13.

Скачать документ
Полнотекстовый документ

Анализируются проблемы высшего образования и трудоустройства выпускников в России. На основании анализа сделаны выводы о необходимости изменения подхода к обучению студентов – традиционную «эстафету знаний» необходимо заменять на «эстафету идей». В качестве перспективной идеи рассматривается вакуумная микроэлектроника (ВМЭ), дается краткий обзор ее истории и развития. Вакуумные интегральные схемы появились раньше полупроводниковых – в 1926 г. в Германии выпускались предложенные М. фон Арденне приборы, содержащие несколько активных и пассивных элементов, образующих усилительный каскад в общем вакуумированном объеме. Объективная тенденция к уменьшению габаритов электронных ламп, упрощению их конструкции и технологии изготовления, снижению энергопотребления, а также их естественные преимущества по радиационной и термостойкости и скорости движения зарядов в вакууме привели к созданию в СССР как особо устойчивых устройств, которые работали на раскаленной поверхности Венеры, так и вакуумных интегральных микросхем, диодно-триодных матриц, работавших в сверхглубоких скважинах при температуре +250 С. С появлением полупроводниковой электроники работы над вакуумными приборами были на некоторое время приостановлены. Но новые технологические приемы, освоенные в твердотельной электронике, оказались востребованными и эффективными при разработке вакуумных микроэлектронных устройств, которые сохраняли все преимущества перед полупроводниковыми. Первая международная конференция по вакуумной микроэлектронике под девизом «Обратно в будущее» прошла в Вильямсбурге, США в 1988 г., и с тех пор это «новое старое» направление стремительно развивается. В статье приводятся описания и характеристики устройств вакуумной микроэлектроники, микротриода Шоулдерса, катода Спиндта, баллистического транзистора, даются сведения о развитии этого направления в России, предлагаются изменения, которые необходимо внести в учебные программы для повышения востребованности выпускников.

Статья опубликована в следующих изданиях

с. 7-13
   Журнал
   Лесной вестник. - ISSN 2542-1468.
   Т. 19, № 3. - 2015.