Подробное описание документа

   Введение в радиационную физикохимию поверхности щёлочно-галоидных кристаллов / Александров А. Б., Алукер Э. Д., Васильев И. А. [и др.] ; АН ЛатвССР, Институт физики, Всесоюзный науч.-исслед. и проект. ин-т комплексной энерг. технологии, Ленинградский технол. ин-т им. Ленсовета (ЛТИ им. Ленсовета). - Рига : Зинатне, 1989. - 244 с. : табл., граф. - Библиогр.: с. 224-241. - ISBN 5-7966-0166-0.

Эффективность радиационных процессов на межфазной границе определяется в значительной степени миграцией продуктов радиолиза (в том числе электронных возбуждений) из объёма к поверхности раздела. Удобными объектами для исследования миграции продуктов радиолиза из объёма к поверхности твёрдого тела являются щелочно-галоидные кристаллы, радиационные процессы в объёме которых изучены достаточно подробно. Исследования радиолиза воды на поверхности щелочно-галоидных кристаллов, радиолюминесценции, радиационного распыления поверхности свидетельствуют о наличии эффективного механизма переноса электронных возбуждений, генерируемых облучением, к поверхности на расстояния 10~3—-10~2 см. Выход же электронов в вакуум (экзоэлектронная эмиссия) осуществляется с глубин порядка 10-5 см. Эффективный перенос электронов и дырок к поверхности обусловлен, по-видимому, дрейфом их в поле объёмного заряда, формируемого облучением.
"Миграция электронных возбуждений к поверхности может в ряде случаев являться фактором, определяющим выход радиационно-химических реакций на границе раздела фаз. В связи с этим анализ факторов, определяющих расстояния переноса электронов и дырок из объема к поверхности, может явиться ключевым моментом в решении проблем, связанных с радиационной технологией и радиационной стойкостью конструкционных материалов ядерных энергетических установок.