Подробное описание документа
Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления / ред. Лоренцо Д. В. Ди, Канделуола Д. Д. ; пер. с англ. Батура В. Г., Данилин В. Н., Толстой А. И. ; ред. пер. Петров Г. В. - М. : Радио и связь, 1988. - 494 с. : табл., граф. - Библиогр.:
Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе.
Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и применением полевых транзисторов, а также микроэлектронных СВЧ устройств.
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника6 экз.![]()
- Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313