Подробное описание документа
Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения. : доклады на 4-ой Международной конференции по моделированию полупроводниковых приборов и интегральных схем, Дубна, 1985 г. / ред. Миллер Д. ; пер. с англ. Обрехт М. С. ; ред. пер. Гадияк Г. В. - М. : Радио и связь, 1989. - 277 с. : рис., граф. - Библиогр.:
В книге представлены доклады известных специалистов из разных стран на IV Международной конференции по моделированию полупроводниковых приборов и интегральных схем, проходившей в июне 1985 г. в г. Дублине. Рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов, применяемых при их изготовлении. Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ. Широко представлены результаты двумерного моделирования различных полупроводниковых приборов, а также процессов диффузии и окисления. Наряду с традиционной диффузионно-дрейфовой моделью в ряде работ для анализа характеристик приборов используются гидродинамическая модель и метод частиц. Основное внимание уделяется кремниевым приборам, но в ряде работ рассматриваются свойства, характерные для приборов на основе соединений АзВ5. Кратко затрагиваются вопросы схемотехнического анализа, моделирования литографии, травления, осаждения, ионной имплантации, воздействия светового и ионизирующего излучений.
Для научных работников.
621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника5 экз.![]()
- Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313