Подробное описание документа

Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В.
   Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. - М. : Энергоатомиздат, 1988. - 255 с. : ил. - Библиогр.: с. 239-251. - ISBN 5-283-02942-5.

Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик—полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения. Проведен анализ источников излучений и обосновано применение моделирующих установок для исследования радиационных параметров интегральных микросхем.
Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, занимающихся разработкой и применением высокостабильных интегральных микросхем.