Подробное описание документа

   Лазерные методы получения полупроводниковых структур и их исследование/АН Молдавской ССР. Ин-т прикладной физики. - 1988. - 99 с.

В сборнике проанализированы состояние и перспективы развития метода лазерной вакуумной эпитаксии, успешно применяемого в Институте прикладной физики АН МССР для получения тонких слоёв соединений А в третьей степени и В в пятой степени
на кремнии, и преимущества лазерного метода перед другими методами получения тонких плёнок. Публикуются экспериментальные работы по исследованию электрических и фотоэлектрических свойств тонкоплёночных приборных структур соединений А в третьей степени и В в пятой степени на кремнии, полученных методом лазерной вакуумной эпитаксии. Охвачены также вопросы теории механизма образования лазерной плазмы из полупроводниковых мишеней и роста плёнок.
Исследована возможность получения многоэлементных фотоприемников. Описаны результаты разработок и применения анализаторов быстропротекающих процессов в экспериментах по диагностике лазерной плазмы, образованной из полупроводниковых мишеней.
Книга предназначена для научных работников и аспирантов, интересующихся вопросами физики полупроводников и твердотельной электроники.