Подробное описание документа
Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. - 1989. - 326 с.
Показана роль тонкоплёночной технологии в производстве интегральных схем. Анализируются основные факторы, определяющие процесс ионного распыления. Рассматривается осаждение плёнок магнетронным, термоионным, ионнокластерным и электронно-циклотронным методами, а также стимулированное плазмой осаждение пленок из газовой фазы при пониженном давлении. Показаны пути обеспечения вакуумно-технических параметров в установках для осаждения тонких плёнок. Рассмотрены перспективы применения плазменных процессов в производстве интегральных схем.
Для научных и инженерно-технических работников, использующих в своей практической работе осаждение плёнок с помощью низкотемпературной плазмы.
Может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
4 экз.
- Абонемент старших курсов, ГУК, ауд. 213
- Преподавательский абонемент ауд.313, ГУК, ауд. 313
- Читальный зал ауд.313, ГУК, ауд. 313
