Подробное описание документа

   Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры : коллективная монография / Эсаки Л., Джойс Б. А., Хекингботтом Р. [и др.] ; ред. Ченг Л., Плог К. ; пер. с англ. Иоффе А. Ф., Гуревич С. А., Копьев П. С., Шик А. Я. ; ред. пер. Алферов Ж. И., Шмарцев Ю. В. - М. : Мир, 1989. - 582 с. : ил. - Библиогр. в конце статей. - Авторы и переводчики указаны в предисловии редакторов перевода. - ISBN 5-03-000737-7.

В коллективной монографии ведущих американских и западноевропейских учёных дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкоплёночных структур — одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешёток (в том числе квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ).
В книге рассмотрены основные принципы МЛЭ, конкретные способы создания различных гетероструктур методом МЛЭ, электронные свойства гетероструктур, результаты по реализации приборов с гетеропереходами (гетеролазеров, фотоприёмников и сверхбыстродействующих полевых транзисторов).
Для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.