Подробное описание документа

Агаханян Т. М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К.
   Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Агаханян Т. М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. ; ред. Агаханян Т. М. - М. : Энергоатомиздат, 1989. - 252 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 242-251. - ISBN 5-283-02963-8.

Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного ’’Защёлкивания”, радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов.
Для научных работников и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры в области ядерного приборостроения, космической техники и связи.