Подробное описание документа
Статья
Лошкарев А. И.
Зажигание обратного дугового разряда в бариевом термоэмиссионном диоде / Лошкарев А. И., Онуфриев В. В. - URL: https://vestniken.bmstu.ru/catalog/phys/hidden/369.html (дата обращения: 11.03.2026) // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - 2005. - № 1. -
Скачать документ
Проведено экспериментальное исследование напряжения зажигания обратного дугового разряда в парах бария. Полученные результаты показали увеличение напряжения зажигания до 1800...2320 В при температурах анода 850...1050 K и находятся в хорошем согласии с разработанной аналитической моделью зажигания обратного дугового разряда.
621.59 Оборудование для получения сверхнизких температур (глубокого охлаждения) и сжижения газов
Статья опубликована в следующих изданиях
с. 72-77
Журнал
Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. - ISSN 1812-3368 (print). - ISSN 2686-8768 (web).
№ 1. - 2005.
№ 1. - 2005.
