75 записей
Амброзяк А.
Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов / Амброзяк А. ; ред. пер. Коломийц Б. Т. ; пер. с пол. Тюшкевич Н. И. - М. : Советское радио, 1970. - 392 с. : ил. - Библиогр.:с. 367-383 .
Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов / Амброзяк А. ; ред. пер. Коломийц Б. Т. ; пер. с пол. Тюшкевич Н. И. - М. : Советское радио, 1970. - 392 с. : ил. - Библиогр.:
Андреев В. М., Грилихес В. А., Румянцев В. Д.
Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения / Андреев В. М., Грилихес В. А., Румянцев В. Д. ; Академия наук СССР, Отделение общей физики и астрономии, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе ; отв. ред. Алферов Ж. И. - Л. : Наука, Ленинградское отделение, 1989. - 308 с. : ил. - Библиогр.:с. 303-307 . - ISBN 5-02-024384-1 .
Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения / Андреев В. М., Грилихес В. А., Румянцев В. Д. ; Академия наук СССР, Отделение общей физики и астрономии, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе ; отв. ред. Алферов Ж. И. - Л. : Наука, Ленинградское отделение, 1989. - 308 с. : ил. - Библиогр.:
Статья
Андреев Д. В., Цирульников И. Ю.
Анализ схемы фотоприемного устройства для регистрации наносекундных импульсов в видимом и инфракрасном диапазоне / Андреев Д. В., Цирульников И. Ю. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 19-21 ноября 2025 г. : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. -С. 41-45 .
Анализ схемы фотоприемного устройства для регистрации наносекундных импульсов в видимом и инфракрасном диапазоне / Андреев Д. В., Цирульников И. Ю. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 19-21 ноября 2025 г. : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. -
Астапенко В. А., Мовнин С. М., Протасов Ю. Ю.
Фотоэлектроника / Астапенко В. А., Мовнин С. М., Протасов Ю. Ю. - М. : Янус-К, 2010. - (Электроника. Прикладная электроника).
Ч. 1. - 2010. - 653 с. : ил. - Библиогр.:с. 645-646 . - ISBN 978-5-8037-0512-3 .
Фотоэлектроника / Астапенко В. А., Мовнин С. М., Протасов Ю. Ю. - М. : Янус-К, 2010. - (Электроника. Прикладная электроника).
Ч. 1. - 2010. - 653 с. : ил. - Библиогр.:
Астапенко В. А., Мовнин С. М., Протасов Ю. Ю.
Фотоэлектроника / Астапенко В. А., Мовнин С. М., Протасов Ю. Ю. - М. : Янус-К, 2010. - (Электроника. Прикладная электроника).
Ч. 2. - 2011. - 663 с. -ISBN 978-5-8037-0521-5 .
Фотоэлектроника / Астапенко В. А., Мовнин С. М., Протасов Ю. Ю. - М. : Янус-К, 2010. - (Электроника. Прикладная электроника).
Ч. 2. - 2011. - 663 с. -
Статья
Афанасьев А. В., Ильин В. А.
Фотодиодные и МДП-сенсоры ультрафиолетового излучения на основе монокристаллического и пористого карбида кремния / Афанасьев А. В., Ильин В. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 8. -С. 13-16 .
Фотодиодные и МДП-сенсоры ультрафиолетового излучения на основе монокристаллического и пористого карбида кремния / Афанасьев А. В., Ильин В. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 8. -
Статья
Бабурин А. С., Моисеев К. М., Афанасьев К. Н.
Формирование многослойного наноструктурированного тонкопленочного покрытия для одномерного фотонного кристалла / Бабурин А. С., Моисеев К. М., Афанасьев К. Н. // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). XX Междунар. научно-техн. конф. Тонкие пленки в электронике. XXVII Междунар. симпозиума. Наноинженерия. VII Междунар. научно-техн. конф. : сборник научных трудов / ред. Белянин А. Ф., Панфилов Ю. В., Самойлович М. И. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2015. -С. 236-241 .
Формирование многослойного наноструктурированного тонкопленочного покрытия для одномерного фотонного кристалла / Бабурин А. С., Моисеев К. М., Афанасьев К. Н. // Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники). XX Междунар. научно-техн. конф. Тонкие пленки в электронике. XXVII Междунар. симпозиума. Наноинженерия. VII Междунар. научно-техн. конф. : сборник научных трудов / ред. Белянин А. Ф., Панфилов Ю. В., Самойлович М. И. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2015. -
Бараночников М. Л.
Приемники и детекторы излучений : справочник / Бараночников М. Л. - М. : ДМК, 2012. - 639 с. : ил. -ISBN 978-5-94074-564-8 .
Приемники и детекторы излучений : справочник / Бараночников М. Л. - М. : ДМК, 2012. - 639 с. : ил. -
Статья
Богачев Ю. В.
Исправление аберраций третьего порядка в двухзеркальной системе с асферическими поверхностями второго порядка / Богачев Ю. В. // Расчёты оптических систем и фотокиноаппаратуры : сборник статей / ред. Заказнов Н. П. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1980. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 328). -С. 52-63 .
Исправление аберраций третьего порядка в двухзеркальной системе с асферическими поверхностями второго порядка / Богачев Ю. В. // Расчёты оптических систем и фотокиноаппаратуры : сборник статей / ред. Заказнов Н. П. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1980. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 328). -