Расширенный поиск

Гудков А. Г., Лось В. Ф., Шаманов А. Н.
   Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 55. Перспективы миниатюризации антенн / Гудков А. Г., Лось В. Ф., Шаманов А. Н. // Машиностроитель. - 2014. - № 11. - С. 34-41.

Гудков А. Г.
   Методология комплексной технологической оптимизации параметров СВЧ-приборов на основе гетероструктур / Гудков А. Г. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХI век. - 2019. - Т. 11, № 2. - С. 5-25.

Гудков А. Г., Мешков С. А.
   Комплексная технологическая оптимизация дискретных фазовращателей СВЧ / Гудков А. Г., Мешков С. А. // Образование через науку : сборник докладов Международного симпозиума / Федеральное агентство по образованию Рос. Федерации, МГТУ им Н. Э. Баумана. - М., 2006. - С. 411-417.

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов дискретных ГИС и МИС фазовращателей / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 5. - С. 33-42.

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 6. - С. 19-26.

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. - М. : ООО "Автотест", 2012.
   Кн. 1. - 2012. - 221 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - ISBN 978-5-9903751-1-6.

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 41. Стабилизация частоты генераторов на диодах Ганна / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2013. - № 8. - С. 18-25.

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 42. Флюктуации СВЧ сигнала, возникающие при эксплуатации управляющих устройств СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2013. - № 9. - С. 33-40.

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0, 5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2014. - № 1. - С. 42-44.

Гудков А. Г., Попов В. В.
   Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2012. - Т. 17, № 11. - С. 42-47.