Расширенный поиск

Рабинович М. А.
   Цифровая обработка информации для задач оперативного управления в электроэнергетике / Рабинович М. А. - М. : Изд-во НЦ ЭНАС, 2001. - 342 с. - Библиогр.: с. 332-338. - ISBN 5-93196-069-4.

   Работа емкостных датчиков при воздействии вибраций и ударов / Николаев С. С., Анисимов А. А., Прокудин Н. Ф., Агуреев В. П. // Вопросы теории электрических цепей и электротехнических устройств : сборник работ / ред. Толокнов О. А., Плаксин И. И. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1972. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 154). - С. 62-66.

   Работы по теории и практическому применению асинхронизированных синхронных машин. - М. : Энергия, 1972. - 183 с. : ил. - (Труды / Всесоюзный научно-исследовательский институт электромеханики (ВНИИЭМ) ; вып. 41).

Радзиевский В. Г., Сирота А. А.
   Информационное обеспечение радиоэлектронных систем в условиях конфликта / Радзиевский В. Г., Сирота А. А. - М. : Издат. предприятие ред. журн. "Радиотехника", 2001. - 455 с. : ил. - Библиогр.: с. 438-452. - ISBN 5-88070-059-3.

Радзиевский В. Г., Трифонов П. А.
   Модели сверхширокополосных сигналов / Радзиевский В. Г., Трифонов П. А. // Радиотехника. - 2006. - № 6. - С. 43-49.

Радзиевский В. Г., Трифонов П. А.
   Обработка сверхширокополосных сигналов и помех / Радзиевский В. Г., Трифонов П. А. - М. : Радиотехника, 2009. - 286 с. : ил. - Библиогр.: с. 272-283. - ISBN 978-5-88070-231-2.

Радзиевский К. С.
   Разработка методов организации производства в микроэлектронной промышленности на основе принципов технологического дизайна : 05. 02. 22 : автореф. дис... ктн / Радзиевский К. С. ; "МАТИ"-Рос. гос. технологический ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2003. - 16 с.

Радзиевский К. С.
   Разработка методов организации производства в микроэлектронной промышленности на основе принципов технологического дизайна : 05. 02. 22 : дис... ктн / Радзиевский К. С. ; "МАТИ"-Рос. гос. технологический ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2003. - 155 л. : ил. - Библиогр.: л. 147-155.

Радзиевский К. С.
   Разработка методов организации производства в микроэлектронной промышленности на основе принципов технологического дизайна : 05. 02. 22 : Прил. к дис.... ктн / Радзиевский К. С. ; "МАТИ"-Рос. гос. технологический ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2003. - 48 л.

Радзышевская В. В., Андреев В. В.
   Влияние дефектов ионной имплантации на характеристики кристаллов микросхем / Радзышевская В. В., Андреев В. В. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 19-21 ноября 2025 г. : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. - С. 99-101.