10510 записей
Мурзин Ю. М., Волков Ю. И.
Электротехника : учебное пособие для вузов / Мурзин Ю. М., Волков Ю. И. - СПб. : Питер, 2007. - 442 с. : ил. - (Учебное пособие). -ISBN 5-469-01060-0 .
Электротехника : учебное пособие для вузов / Мурзин Ю. М., Волков Ю. И. - СПб. : Питер, 2007. - 442 с. : ил. - (Учебное пособие). -
2 экз.
Муромцев Д. Ю., Тюрин И. В., Белоусов О. А.
Конструирование узлов и устройств электронных средств : учебное пособие для вузов / Муромцев Д. Ю., Тюрин И. В., Белоусов О. А. - Ростов-на-Дону : Феникс, 2013. - 541 с. : ил. - (Высшее образование). - Библиогр.:с. 538-541 . - ISBN 978-5-222-20994-3 .
Конструирование узлов и устройств электронных средств : учебное пособие для вузов / Муромцев Д. Ю., Тюрин И. В., Белоусов О. А. - Ростов-на-Дону : Феникс, 2013. - 541 с. : ил. - (Высшее образование). - Библиогр.:
11 экз.
Мусаев Э. С.
Оптоэлектронные устройства на полупроводниковых излучателях / Мусаев Э. С. - М. : Радио и связь, 2004. - 205 с. : ил. - Библиогр.:с. 189-202 . - ISBN 5-256-01711-X .
Оптоэлектронные устройства на полупроводниковых излучателях / Мусаев Э. С. - М. : Радио и связь, 2004. - 205 с. : ил. - Библиогр.:
2 экз.
Статья
Мустафаев А. Г.
Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ-МОП-транзисторов / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 6. -С. 37-42 .
Конструктивные и технологические способы улучшения параметров КНИ-МОП-транзисторов / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 6. -
Статья
Мустафаев А. Г.
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -С. 11-14 .
Технология формирования кремниевых пластин со скрытым слоем / Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 10. -
Статья
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -С. 44-46 .
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 9. -
Статья
Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -С. 17-22 .
Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологии / Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 4. -
Статья
Мустафаев Г. А., Маустафаев А. Г.
Радиационная стойкость КНИ МОП-транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения / Мустафаев Г. А., Маустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 12. -С. 47-49 .
Радиационная стойкость КНИ МОП-транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения / Мустафаев Г. А., Маустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 12. -
Статья
Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г.
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -С. 30-32 .
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Мустафаев Г. А., Мустафаев А. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. -
Статья
Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г.
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -С. 8-12 .
Влияние конструкции на характеристики субмикронных КНИ МОП-транзисторов / Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г. // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - № 7. -
