Расширенный поиск

Морозов А. Г.
   Электротехника, электроника и импульсная техника : учебник для вузов / Морозов А. Г. - М. : Высшая школа, 1987. - 447 с. : ил. - Библиогр.: с. 443.

Морозов А. М.
   Анализ уязвимосте­й сетей SIP к угрозам фрода / Морозов А. М. // Электросвязь. - 2013. - № 7. - С. 10-13.

Морозов А. М., Бельфер Р. А., Глинская Е. В.
   Анализ обеспечения информационной безопасности сообщений транспортного уровня протокола SCTP / Морозов А. М., Бельфер Р. А., Глинская Е. В. // Электросвязь. - 2015. - № 10. - С. 38-40.

Морозов А. Н., Васильев Н. С.
   Идентификация веществ по набору спектров вторичного излучения / Морозов А. Н., Васильев Н. С. // Акустооптические и радиолокационные методы измерений и обработки информации : доклады 5-й Междунар. конф., Суздаль, 18-19 сентября 2012 г. / Рос. научно-техн. о-во радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова. - М., 2012. - (Труды/Рос. научно-техн. о-ва радиотехники, электроники и связи им. А. С. Попова ; вып. V). - С. 151-154.

Морозов О. Г.
   Основы радиосвязи и телевидения: цифровые технологии : учебное пособие для вузов / Морозов О. Г. - Казань : Новое знание, 2010. - 251 с. - Библиогр.: с. 244-245. - ISBN 978-5-89347-608-8.

Морозова И. Г.
   Физика электронных приборов : учебник для вузов / Морозова И. Г. - М. : Атомиздат, 1980. - 391 с. : ил. - Библиогр.: с. 386.

   Морская радиоэлектроника : краткий справочник / Соловьев И. В., Корольков Г. Н., Бараненко А. А. [и др.] ; общ. ред. Кравченко В. А. - СПб. : Политехника, 2003. - 245 с. : ил. - Библиогр.: с. 236-238. - ISBN 5-7325-0615-2.

Москалев В. А., Сергеев Г. И.
   Измерение параметров пучков заряженных частиц / Москалев В. А., Сергеев Г. И. - М. : Энергоатомиздат, 1991. - 237 с. : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 226-235. - ISBN 5-283-03997-8.

Москалев Д. О.
   Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (Национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 134 л. : ил. - Библиогр.: л. 123-134.

Москалев Д. О.
   Исследование и разработка технологии формирования джозефсоновских переходов для криогенных параметрических усилителей : 05. 27. 06-Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники : автореф. дис... ктн / Москалев Д. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М., 2022. - 16 с.