10510 записей
Макарчук В. В.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.в конце брош.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.
Макарчук В. В., Родионов И. А.
Проектирование электронной компонентной базы : учебное пособие / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2024. - 134 с. : ил. - (Библиотека "Приборостроение" ; т. 4). - Библиогр.:с. 130-131 . - ISBN 978-5-7038-6321-3 .
Проектирование электронной компонентной базы : учебное пособие / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2024. - 134 с. : ил. - (Библиотека "Приборостроение" ; т. 4). - Библиогр.:
Макарчук В. В., Родионов И. А.
Проектирование электронной элементной базы наносистем : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 156 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 5). - Библиогр.:с. 154 . - ISBN 978-5-7038-3496-1 .
Проектирование электронной элементной базы наносистем : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 156 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 5). - Библиогр.:
Макарчук В. В., Родионов И. А., Цветков Ю. Б.
Методы литографии в наноинженерии : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А., Цветков Ю. Б. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 175 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 9). - Библиогр.:с. 171 . - ISBN 978-5-7038-3500-5 .
Методы литографии в наноинженерии : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А., Цветков Ю. Б. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 175 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 9). - Библиогр.:
Маквецов Е. Н., Тартаковский А. М.
Механические воздействия и защита радиоэлектронной аппаратуры : учебник для вузов / Маквецов Е. Н., Тартаковский А. М. - М. : Радио исвязь, 1993. - 200 с. : ил. - Библиогр.:с. 199 . - ISBN 5-256-01113-8 .
Механические воздействия и защита радиоэлектронной аппаратуры : учебник для вузов / Маквецов Е. Н., Тартаковский А. М. - М. : Радио исвязь, 1993. - 200 с. : ил. - Библиогр.:
Статья
Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А.
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 1. -С. 83-88 .
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 1. -
Статья
Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А.
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -С. 493-503 .
Исследования коэффициентов диффузии Al и Si в AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктурах / Макеев М. О., Мешков С. А., Иванов Ю. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - Т. 18, № 8. -
Диссертация
Макеев М. О.
Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов : дис... ктн : 05. 11. 14 : 05. 27. 06 / Макеев М. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2014. - 241 л. : ил. - Библиогр.:л. 219-241 .
Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов : дис... ктн : 05. 11. 14 : 05. 27. 06 / Макеев М. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2014. - 241 л. : ил. - Библиогр.:
Автореферат диссертации
Макеев М. О.
Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов : автореф. дис... ктн : 05. 11. 14 : 05. 27. 06 / Макеев М. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2014. - 16 с.
Разработка конструкторско-технологических методов и средств повышения надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов : автореф. дис... ктн : 05. 11. 14 : 05. 27. 06 / Макеев М. О. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2014. - 16 с.