Расширенный поиск

Рагрин Н. А.
   Разработка и исследование способов обеспечения надежности быстрорежущих спиральных сверл в автоматизированном производстве : 05. 03. 01 : дис... ктн / Рагрин Н. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1988. - 164 л. - Библиогр.: л. 156-164.

Рагуткин А. В., Сидоров М. И., Юрцев Е. С.
   Модели организации цифрового машиностроительного производства : монография / Рагуткин А. В., Сидоров М. И., Юрцев Е. С. - М. : Эко-Пресс, 2021. - 280 с. : ил. - Библиогр.: с. 251-280. - ISBN 978-5-6047081-2-5.

Радебах Д.
   Поверхностно-активные добавки к стержневым смесям при литье чугуна с вермикулярным графитом / Радебах Д. // Литейное производство. - 2009. - № 1. - С. 13-19.

Радзиевский В. Г., Сирота А. А.
   Информационное обеспечение радиоэлектронных систем в условиях конфликта / Радзиевский В. Г., Сирота А. А. - М. : Издат. предприятие ред. журн. "Радиотехника", 2001. - 455 с. : ил. - Библиогр.: с. 438-452. - ISBN 5-88070-059-3.

Радзиевский В. Г., Трифонов П. А.
   Модели сверхширокополосных сигналов / Радзиевский В. Г., Трифонов П. А. // Радиотехника. - 2006. - № 6. - С. 43-49.

Радзиевский В. Г., Трифонов П. А.
   Обработка сверхширокополосных сигналов и помех / Радзиевский В. Г., Трифонов П. А. - М. : Радиотехника, 2009. - 286 с. : ил. - Библиогр.: с. 272-283. - ISBN 978-5-88070-231-2.

Радзиевский К. С.
   Разработка методов организации производства в микроэлектронной промышленности на основе принципов технологического дизайна : 05. 02. 22 : автореф. дис... ктн / Радзиевский К. С. ; "МАТИ"-Рос. гос. технологический ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2003. - 16 с.

Радзиевский К. С.
   Разработка методов организации производства в микроэлектронной промышленности на основе принципов технологического дизайна : 05. 02. 22 : дис... ктн / Радзиевский К. С. ; "МАТИ"-Рос. гос. технологический ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2003. - 155 л. : ил. - Библиогр.: л. 147-155.

Радзиевский К. С.
   Разработка методов организации производства в микроэлектронной промышленности на основе принципов технологического дизайна : 05. 02. 22 : Прил. к дис.... ктн / Радзиевский К. С. ; "МАТИ"-Рос. гос. технологический ун-т им. К. Э. Циолковского. - М., 2003. - 48 л.

Радзышевская В. В., Андреев В. В.
   Влияние дефектов ионной имплантации на характеристики кристаллов микросхем / Радзышевская В. В., Андреев В. В. // Наукоёмкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции, Калуга, 19-21 ноября 2025 г. : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - 2025. - Т. 1. - С. 99-101.