574 записи
Статья
Кузин А. П.
Влияние точности конструкционных параметров на частоту настройки резонансного элемента СВЧ / Кузин А. П. // Технология ЭВА : сборник статей / ред. Сыроватченко П. В. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1978. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 286). -С. 18-28 .
Влияние точности конструкционных параметров на частоту настройки резонансного элемента СВЧ / Кузин А. П. // Технология ЭВА : сборник статей / ред. Сыроватченко П. В. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1978. - (Труды / МВТУ им. Н. Э. Баумана ; № 286). -
Статья
Кузнецов В. В., Кечиев Л. Н.
Методика расчета порога отказа МОП-транзисторов при электростатическом разряде / Кузнецов В. В., Кечиев Л. Н. // Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции / МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал, Калужский государственный университет им. К. Э. Циолковского. - 2013. - Т. 1. -С. 120-123 .
Методика расчета порога отказа МОП-транзисторов при электростатическом разряде / Кузнецов В. В., Кечиев Л. Н. // Наукоемкие технологии в приборо- и машиностроении и развитие инновационной деятельности в вузе : материалы Всероссийской научно-технической конференции / МГТУ им. Н. Э. Баумана, Калужский филиал, Калужский государственный университет им. К. Э. Циолковского. - 2013. - Т. 1. -
Статья
Кузнецов В. В.
Новое поколение САПР для схемотехнического моделирования с открытым исходным кодом Qucs-S / Кузнецов В. В. // Технологии разработки и отладки сложных технических систем : материалы 9-ой Всероссийской научно-практическойя конференции, Москва, 5-6 апреля 2023 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Центр инженерных технологий и моделирования "Экспонента". - 2024. - Т. 1. -С. 334-339 .
Новое поколение САПР для схемотехнического моделирования с открытым исходным кодом Qucs-S / Кузнецов В. В. // Технологии разработки и отладки сложных технических систем : материалы 9-ой Всероссийской научно-практическойя конференции, Москва, 5-6 апреля 2023 года : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Центр инженерных технологий и моделирования "Экспонента". - 2024. - Т. 1. -
Статья
Куимов Е. В., Ветрова Н. А.
Компактная модель токопереноса с учетом диссипативных процессов и резонансного туннелирования в гетероструктурном канале диода для ecad наноэлектронной компонентной базы / Куимов Е. В., Ветрова Н. А. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХI век. - 2024. - Т. 16, № 4. -С. 16-20 .
Компактная модель токопереноса с учетом диссипативных процессов и резонансного туннелирования в гетероструктурном канале диода для ecad наноэлектронной компонентной базы / Куимов Е. В., Ветрова Н. А. // Нанотехнологии. Разработка. Применение. ХХI век. - 2024. - Т. 16, № 4. -
Кукелов Г. А., Васерина К. Н., Лунин В. П.
Полупроводниковые электрические аппараты : учебное пособие для вузов / Кукелов Г. А., Васерина К. Н., Лунин В. П. - Л. : Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1991. - 255 с. : ил. - Библиогр.:с. 250-252 . - ISBN 5-28304492-0 .
Полупроводниковые электрические аппараты : учебное пособие для вузов / Кукелов Г. А., Васерина К. Н., Лунин В. П. - Л. : Энергоатомиздат, Ленинградское отделение, 1991. - 255 с. : ил. - Библиогр.:
Статья
Кулагина Н. С., Адарчин С. А., Косушкин В. Г.
Повышение надежности автомобильной электроники / Кулагина Н. С., Адарчин С. А., Косушкин В. Г. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2016. - Т. 21, № 10. -С. 17-22 .
Повышение надежности автомобильной электроники / Кулагина Н. С., Адарчин С. А., Косушкин В. Г. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2016. - Т. 21, № 10. -
Кулебакин В. С., Нагорский В. Д., Воскресенский Ю. Е.
Полупроводники в автоматике / Кулебакин В. С., Нагорский В. Д., Воскресенский Ю. Е. ; Академия наук СССР. - М. : Изд-во Академии наук СССР, 1963. - 149 с. : ил. - Библиогр.:с. 148 .
Полупроводники в автоматике / Кулебакин В. С., Нагорский В. Д., Воскресенский Ю. Е. ; Академия наук СССР. - М. : Изд-во Академии наук СССР, 1963. - 149 с. : ил. - Библиогр.:
Курбатов Л. Н.
Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра / Курбатов Л. Н. - М. : Изд-во МФТИ, 1999. - 320 с. - Библиогр.:с. 319-320 . - ISBN 5-89155-041-5 .
Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра / Курбатов Л. Н. - М. : Изд-во МФТИ, 1999. - 320 с. - Библиогр.:
Статья
Курганская Л. В.
Технология получения гетероструктур n-SiC/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллиметровом СВЧ-диапазоне / Курганская Л. В. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 5. -С. 37-40 .
Технология получения гетероструктур n-SiC/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллиметровом СВЧ-диапазоне / Курганская Л. В. // Нано- и микросистемная техника. - 2008. - № 5. -
Курносенко А. Е.
Поддержка жизненного цикла объектов приборостроения : учебное пособие / Курносенко А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2024. - 500 с. : ил. - (Библиотека "Приборостроение" ; т. 8). - Библиогр.:с. 495 . - ISBN 978-5-7038-6098-4 . - ISBN 978-5-7038-6322-0 .
Поддержка жизненного цикла объектов приборостроения : учебное пособие / Курносенко А. Е. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2024. - 500 с. : ил. - (Библиотека "Приборостроение" ; т. 8). - Библиогр.: