33036 записей
Статья
Макарова К. Т., Моисеев К. М.
Анализ методов поляризации полимерных сегнетоэлектрических пленок / Макарова К. Т., Моисеев К. М. // Будущее машиностроения России. Всероссийская конференция молодых учёных и специалистов ( с международным участием), 15-я, Москва, 21-24 сентября 2022 г. : сборник докладов : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Союз машиностроителей России. - 2022. - Т. 1. -С. 371-373 .
Анализ методов поляризации полимерных сегнетоэлектрических пленок / Макарова К. Т., Моисеев К. М. // Будущее машиностроения России. Всероссийская конференция молодых учёных и специалистов ( с международным участием), 15-я, Москва, 21-24 сентября 2022 г. : сборник докладов : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Союз машиностроителей России. - 2022. - Т. 1. -
Статья
Макарова К. Т., Моисеев К. М.
Оценка влияния плазменной поляризации ПВДФ-пленки на ее структуру / Макарова К. Т., Моисеев К. М. // Будущее машиностроения России. Всероссийская конференция молодых учёных и специалистов (с международным участием), 16-я, Москва, 19-22 сентября 2023 года : сборник докладов : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Союз машиностроителей России. - 2024. - Т. 1. -С. 261-265 .
Оценка влияния плазменной поляризации ПВДФ-пленки на ее структуру / Макарова К. Т., Моисеев К. М. // Будущее машиностроения России. Всероссийская конференция молодых учёных и специалистов (с международным участием), 16-я, Москва, 19-22 сентября 2023 года : сборник докладов : в 2 т. / МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет), Союз машиностроителей России. - 2024. - Т. 1. -
Макарчук В. В.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.в конце брош.
Проектирование топологии биполярного планарно-эпитаксиального транзистора : метод. указания к курсовому проектированию по курсу "Технологические процессы микроэлектроники" / Макарчук В. В. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005. - 19 с. : ил. - Библиогр.
Макарчук В. В., Родионов И. А.
Проектирование электронной компонентной базы : учебное пособие / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2024. - 134 с. : ил. - (Библиотека "Приборостроение" ; т. 4). - Библиогр.:с. 130-131 . - ISBN 978-5-7038-6321-3 .
Проектирование электронной компонентной базы : учебное пособие / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет). - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2024. - 134 с. : ил. - (Библиотека "Приборостроение" ; т. 4). - Библиогр.:
Макарчук В. В., Родионов И. А.
Проектирование электронной элементной базы наносистем : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 156 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 5). - Библиогр.:с. 154 . - ISBN 978-5-7038-3496-1 .
Проектирование электронной элементной базы наносистем : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 156 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 5). - Библиогр.:
Макарчук В. В., Родионов И. А., Цветков Ю. Б.
Методы литографии в наноинженерии : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А., Цветков Ю. Б. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 175 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 9). - Библиогр.:с. 171 . - ISBN 978-5-7038-3500-5 .
Методы литографии в наноинженерии : учеб.-метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Макарчук В. В., Родионов И. А., Цветков Ю. Б. ; ред. Шахнов В. А. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2011. - 175 с. : ил. - (Библиотека "Наноинженерия" : в 17 кн. ; кн. 9). - Библиогр.:
Статья
Макарычев С. И.
Использование дополнительного источника тепла для управления структурой при лазерной сварке закаливающихся сталей / Макарычев С. И. // Будущее машиностроения России : сборник трудов Всерос. конф. молодых ученых и специалистов, Москва, 25 -27ноября 2008 г. / МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2008. -С. 182-183 .
Использование дополнительного источника тепла для управления структурой при лазерной сварке закаливающихся сталей / Макарычев С. И. // Будущее машиностроения России : сборник трудов Всерос. конф. молодых ученых и специалистов, Москва, 25 -27ноября 2008 г. / МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 2008. -
Маквецов Е. Н., Тартаковский А. М.
Механические воздействия и защита радиоэлектронной аппаратуры : учебник для вузов / Маквецов Е. Н., Тартаковский А. М. - М. : Радио исвязь, 1993. - 200 с. : ил. - Библиогр.:с. 199 . - ISBN 5-256-01113-8 .
Механические воздействия и защита радиоэлектронной аппаратуры : учебник для вузов / Маквецов Е. Н., Тартаковский А. М. - М. : Радио исвязь, 1993. - 200 с. : ил. - Библиогр.:
Статья
Макеев М. О., Зверев А. В., Родионов И. А.
Исследование характеристик и методов нанесения резиста с применением ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Зверев А. В., Родионов И. А. - DOI 10.18698/0236-3933-2015-6-125-134 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2015. - № 6. -С. 125-134 .
Исследование характеристик и методов нанесения резиста с применением ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Зверев А. В., Родионов И. А. - DOI 10.18698/0236-3933-2015-6-125-134 // Вестник МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Приборостроение. - 2015. - № 6. -
Статья
Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А.
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 1. -С. 83-88 .
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии / Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А. // Физика и техника полупроводников. - 2016. - Т. 50, № 1. -