61844 записи
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 6. -С. 19-26 .
Оптимальное проектирование с учетом технологических факторов ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2015. - № 6. -
Гудков А. Г., Попов В. В.
Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. - М. : ООО "Автотест", 2012.
Кн. 1. - 2012. - 221 с. : ил. - Библиогр.в конце гл. - ISBN 978-5-9903751-1-6 .
Повышение надежности и качества ГИС и МИС СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. - М. : ООО "Автотест", 2012.
Кн. 1. - 2012. - 221 с. : ил. - Библиогр.
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 41. Стабилизация частоты генераторов на диодах Ганна / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2013. - № 8. -С. 18-25 .
Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 41. Стабилизация частоты генераторов на диодах Ганна / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2013. - № 8. -
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 42. Флюктуации СВЧ сигнала, возникающие при эксплуатации управляющих устройств СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2013. - № 9. -С. 33-40 .
Прогнозирование качества и надежности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 42. Флюктуации СВЧ сигнала, возникающие при эксплуатации управляющих устройств СВЧ / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2013. - № 9. -
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0, 5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2014. - № 1. -С. 42-44 .
Прогнозирование качества и надёжности ИС СВЧ на этапах разработки и производства. Часть 46. Транзисторы GaN с длиной затвора 0, 5 мкм и периферией 500 мкм и 1500 мкм / Гудков А. Г., Попов В. В. // Машиностроитель. - 2014. - № 1. -
Статья
Гудков А. Г., Попов В. В.
Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2012. - Т. 17, № 11. -С. 42-47 .
Технологическая оптимизация ГИС и МИС дискретных аттенюаторов / Гудков А. Г., Попов В. В. // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2012. - Т. 17, № 11. -
Статья
Гудков А. Г.
Процесс создания высокотехнологичного наукоемкого изделия / Гудков А. Г. // Машиностроитель. - 2016. - № 1. -С. 13-20 .
Процесс создания высокотехнологичного наукоемкого изделия / Гудков А. Г. // Машиностроитель. - 2016. - № 1. -
Гудков А. Г.
Радиоаппаратура в условиях рынка. Комплексная технологическая оптимизация / Гудков А. Г. - М. : САЙНС-ПРЕСС, 2008. - 333 с. : ил. - Библиогр.:с. 323-333 .
Радиоаппаратура в условиях рынка. Комплексная технологическая оптимизация / Гудков А. Г. - М. : САЙНС-ПРЕСС, 2008. - 333 с. : ил. - Библиогр.:
Гудков А. Г.
Риски при разработке высокотехнологичной продукции : учеб. пособие / Гудков А. Г. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2004. - 87 с. - Библиогр.:с. 87 . - ISBN 5-7038-2421-4 .
Риски при разработке высокотехнологичной продукции : учеб. пособие / Гудков А. Г. ; МГТУ им. Н. Э. Баумана. - М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2004. - 87 с. - Библиогр.: