69 записей
Статья
Дробышев Г. Ф.
Моделирование переходных процессов в системах с туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / ред. Доброгурский С. О. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1964. -С. 53-57 .
Моделирование переходных процессов в системах с туннельным диодом / Дробышев Г. Ф. // Счетно-решающие приборы : сборник статей / ред. Доброгурский С. О. ; МВТУ им. Н. Э. Баумана. - М., 1964. -
Дьяконов В. П.
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение / Дьяконов В. П. - М. : СОЛОН-Пресс, 2008. - 234 с. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:с. 225-227 . - ISBN 978-5-91359-004-6 .
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение / Дьяконов В. П. - М. : СОЛОН-Пресс, 2008. - 234 с. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:
Читать онлайн
2 экз.
Дьяконов В. П.
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение : [монография] / Дьяконов В. П. - М. : СОЛОН-Пресс, 2012. - 234 с. : ил. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:с. 225-227 . - ISBN 978-5-91359-004-6 .
Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение : [монография] / Дьяконов В. П. - М. : СОЛОН-Пресс, 2012. - 234 с. : ил. - (Компоненты и технологии). - Библиогр.:
2 экз.
Зарубежные транзисторы. Диоды. 1N... 60000... µ : справочник / ред. Заболотный В. И., Гончаренко В. Р. - М. : Наука и Техника, 1999. - XXVIII, 634 с. - ISBN 5-88977-053-5 .
1 экз.
Зарубежные транзисторы. Диоды. A... Z : справочник / ред. Заболотный В. И., Гончаренко В. Р. - М. : Наука и Техника, 2000. - 552 с. - ISBN 5-93630-009-9 .
1 экз.
Статья
Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А.
Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой / Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 4. -С. 45-47 .
Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой / Захаров А. Г., Котов В. Н., Богданов С. А. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 4. -
Ильченко Г. П.
Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+ - n- переходом : монография / Ильченко Г. П. ; Кубанский государственный университет. - Краснодар : Кубанский гос. ун-т, 2013. - 159 с. : ил. - Библиогр.:с. 152-157 . - ISBN 978-5-8209-0964-1 .
Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+ - n- переходом : монография / Ильченко Г. П. ; Кубанский государственный университет. - Краснодар : Кубанский гос. ун-т, 2013. - 159 с. : ил. - Библиогр.:
1 экз.
Статья
Каштанкин И. А., Гурин Н. Т.
N-транзисторные оптроны / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 8. -С. 37-39 .
N-транзисторные оптроны / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 8. -
Статья
Каштанкин И. А., Гурин Н. Т.
Температурные характеристики биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 6. -С. 41-43 .
Температурные характеристики биполярных N-приборов с управляемой вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 6. -
Статья
Каштанкин И. А., Гурин Н. Т.
Фоточувствительные полупроводниковые N-приборы с симметричной вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 9. -С. 35-38 .
Фоточувствительные полупроводниковые N-приборы с симметричной вольт-амперной характеристикой / Каштанкин И. А., Гурин Н. Т. // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 9. -
